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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | SSM3J356R,LF | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 939010 pcs | Fiche technique | SSM3J356R,LF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | Vgs (Max) | +10V, -20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | SOT-23F |
| Séries | U-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-23-3 Flat Leads | Autres noms | SSM3J356R,LF(B SSM3J356R,LF(T SSM3J356RLFTR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | P-Channel 60V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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