| Modèle de produit | SSM3K116TU,LF | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 524751 pcs | Fiche technique | 1.SSM3K116TU,LF.pdf2.SSM3K116TU,LF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA | Vgs (Max) | ±12V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | UFM |
| Séries | U-MOSIII | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 3-SMD, Flat Leads | Autres noms | SSM3K116TU,LF(B SSM3K116TU,LF(T SSM3K116TULFTR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 245pF @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | N-Channel 30V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.2A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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