0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | SSM3K15FS,LF | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A SSM | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 4518 pcs | Fiche technique | 1.SSM3K15FS,LF.pdf2.SSM3K15FS,LF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | SSM |
| Séries | π-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 10mA, 4V |
| Dissipation de puissance (max) | 200mW (Ta) | Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | SC-75, SOT-416 | Autres noms | SSM3K15FS(T5LFT)DKR SSM3K15FS(T5LFT)DKR-ND SSM3K15FS(TE85LF)DKR SSM3K15FS(TE85LF)DKR-ND SSM3K15FSLFDKR SSM3K15FST5LFTDKR SSM3K15FST5LFTDKR-ND |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7.8pF @ 3V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | N-Channel 30V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SSM |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| UPS | www.UPS.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| TNT | www.TNT.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
