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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | SSM3K318R,LF | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 726163 pcs | Fiche technique | SSM3K318R,LF.pdf |
| Tension - Test | 235pF @ 30V | Tension - Ventilation | SOT-23F |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 107 mOhm @ 2A, 10V | Vgs (Max) | 4.5V, 10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Séries | U-MOSIV |
| État RoHS | Tape & Reel (TR) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5A (Ta) |
| Polarisation | SOT-23-3 Flat Leads | Autres noms | SSM3K318R,LF(B SSM3K318R,LF(T SSM3K318RLF SSM3K318RLFTR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Référence fabricant | SSM3K318R,LF |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7nC @ 10V | type de IGBT | ±20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8V @ 1mA | Fonction FET | N-Channel |
| Description élargie | N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F | Tension drain-source (Vdss) | - |
| La description | MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 60V |
| Ratio de capacité | 1W (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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