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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | SSM3K7002BS,LF | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 60V 200MA SMD | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 3056 pcs | Fiche technique | 1.SSM3K7002BS,LF.pdf2.SSM3K7002BS,LF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | S-Mini |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 500mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 200mW (Ta) | Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Autres noms | SSM3K7002BF(T5LF)CT SSM3K7002BF(T5LF)CT-ND SSM3K7002BSLF(DCT SSM3K7002BSLF(DCT-ND SSM3K7002BSLFCT SSM3K7002F(TE85LFCT SSM3K7002F(TE85LFCT-ND SSM3K7002FCT SSM3K7002FCT-ND |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 17pF @ 25V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V | Description détaillée | N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount S-Mini |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 200mA (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| UPS | www.UPS.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| TNT | www.TNT.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
