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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | SSM6K211FE,LF | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 491574 pcs | Fiche technique | 1.SSM6K211FE,LF.pdf2.SSM6K211FE,LF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | ES6 |
| Séries | U-MOSIII | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 | Autres noms | SSM6K211FE(TE85L,F SSM6K211FE(TE85LFTR SSM6K211FE(TE85LFTR-ND SSM6K211FE,LF(CA SSM6K211FELFTR SSM6K211FETE85LF |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | N-Channel 20V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.2A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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