SSM6K781G,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SSM6K781G,LF
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
Livret des spécifications:	SSM6K781G,LF.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	529258 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 529258 pcs

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Spécifications de SSM6K781G,LF

Modèle de produit	SSM6K781G,LF	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	529258 pcs	Fiche technique	SSM6K781G,LF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	6-WCSPC (1.5x1.0)
Séries	U-MOSVII-H	Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	1.6W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	6-UFBGA, WLCSP	Autres noms	SSM6K781G,LF(S SSM6K781GLFTR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 6V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	5.4nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	12V
Description détaillée	N-Channel 12V 7A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-WCSPC (1.5x1.0)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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