TK10A60E,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

L'image peut être une représentation. Voir les spécifications pour les détails du produit.

Présentation du produit

Modèle de produit:	TK10A60E,S4X
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 600V TO220SIS
Livret des spécifications:	TK10A60E,S4X.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	49061 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 49061 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.66

50 pcs: $0.529

100 pcs: $0.463

500 pcs: $0.359

1000 pcs: $0.284

Demander une offre en ligne: Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur " SOUMETTRE la demande de devis ". Nous vous contacterons sous peu par courrier électronique. Ou écrivez-nous:Info@infinity-electronic.com

Prix cible:(USD)
Qté:

Total:$0.66

S'il vous plaît nous donner votre prix cible si des quantités supérieures à celles affichées.

Modèle de produit
Raison sociale
Nom du contact
Email
Message

Spécifications de TK10A60E,S4X

Modèle de produit	TK10A60E,S4X	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 600V TO220SIS	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	49061 pcs	Fiche technique	TK10A60E,S4X.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220SIS
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	45W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Autres noms	TK10A60E,S4X(S TK10A60E,S5X TK10A60E,S5X(M TK10A60ES4X TK10A60ES4X(S TK10A60ES4X(S-ND TK10A60ES5X TK10A60ES5X-ND
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 10A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

★ LIVRAISON GRATUITE VIA DHL / FEDEX / UPS SI LE MONTANT DE LA COMMANDE EST SUPÉRIEUR À 1 000 USD.
(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX	www.FedEx.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
UPS	www.UPS.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.

★ Le délai de livraison nécessitera 2 à 4 jours pour la plupart des pays du monde entier par DHL / UPS / FEDEX / TNT.

N'hésitez pas à nous contacter si vous avez des questions sur l'envoi. Envoyez-nous un email Info@infinity-electronic.com

GARANTIE APRÈS-VENTE

Chaque produit de Infinity-Semiconductor.com bénéficie d’une période de garantie d’un an. Pendant cette période, nous pouvons fournir une maintenance technique gratuite en cas de problème concernant nos produits.
Si vous rencontrez des problèmes de qualité concernant nos produits après les avoir reçus, vous pouvez les tester et demander un remboursement inconditionnel s’il est prouvé.
Si les produits sont défectueux ou s'ils ne fonctionnent pas, vous pouvez nous le retourner dans un délai d'un an. Tous les frais de transport et de douane de la marchandise sont à notre charge.

Produits connexes

: TK100L60W,VQ; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L); En stock: 2876 pcs; Télécharger: TK100L60W,VQ.pdf; RFQ

: TK10A60D(STA4,Q,M); Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS; En stock: 74649 pcs; Télécharger: TK10A60D(STA4,Q,M).pdf; RFQ

: TK10A60W5,S5VX; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS; En stock: 45874 pcs; Télécharger: TK10A60W5,S5VX.pdf; RFQ

: TK10A50D(STA4,Q,M); Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS; En stock: 47511 pcs; Télécharger: TK10A50D(STA4,Q,M).pdf; RFQ

: TK10A55D(STA4,Q,M); Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS; En stock: 41213 pcs; Télécharger: TK10A55D(STA4,Q,M).pdf; RFQ

: TK100S04N1L,LQ; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK; En stock: 34281 pcs; Télécharger: TK100S04N1L,LQ.pdf; RFQ

: TK10A60W,S4X; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220; En stock: 51508 pcs; Télécharger: TK10A60W,S4X.pdf; RFQ

: TK10A80E,S4X; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: MOSFET N-CH 800V TO220SIS; En stock: 37033 pcs; Télécharger: TK10A80E,S4X.pdf; RFQ

: TK10A60W,S4VX; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS; En stock: 33191 pcs; Télécharger: TK10A60W,S4VX.pdf; RFQ

: TK10A80W,S4X; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS; En stock: 26612 pcs; Télécharger: TK10A80W,S4X.pdf; RFQ

: TK10E60W,S1VX; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220; En stock: 29258 pcs; Télécharger: TK10E60W,S1VX.pdf; RFQ

: TK100E10N1,S1X; Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage; La description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220; En stock: 24111 pcs; Télécharger: TK100E10N1,S1X.pdf; RFQ

Nouvelles de l'industrie

Rohm ajoute 10 mosfets SiC automobiles: «L’introduction de la série SCT3xxxxxxHR permet à Rohm d’offrir la plus grande gamme de mosfets...

ON ajoute aux MOSFET SiC: ON Semiconductor a introduit deux MOSFET SiC destinés aux applications VE, solaires et UPS. Les NVH...

APEC: TI pense latéralement à fabriquer une puce ca-cc avec une puissance de secours de 15 mW: «Cet appareil réalise le meilleur équilibre entre efficacité élevée et bruit extrêmement faib...

Contenu sponsorisé: Analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X: L'analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X est un outil très puissant et flexible pour diverses mesure...

Les dépenses en équipements de demi-fabrication devraient diminuer de 14% cette année et augmenter de 27% l’année prochaine: Stimulé par un ralentissement du secteur de la mémoire, le ralentissement économique de 2019 marq...

Power Stamp Alliance réduit la nécessité pour le processeur hôte de surveiller les unités d'alimentation et ajoute une conception de référence: L’Alliance (Artesyn Embedded Technologies, Solutions Bel Power, Flex et STMicroelectronics) a cré...

APEC: puissance SiC et outils électriques améliorés basés sur le cloud: Les capacités de recherche ont été améliorées et un menu de style carrousel permet de sélectio...

Dengrove ajoute des convertisseurs CC / CC de Recom à encombrement réduit: Ils sont conçus pour des applications nécessitant une densité de puissance élevée, un rendement...

Premier processeur Arm militaire qualifié pour les applications haute fidélité: LS1046A fait partie du portefeuille Arm Layerscape 64 bits de NXP, avec un bras Cortex-A72 quad-core...

Choisissez votre pays ou région.