| Modèle de produit | TK10P60W,RVQ | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 75090 pcs | Fiche technique | TK10P60W,RVQ.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | DPAK |
| Séries | DTMOSIV | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 80W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Autres noms | TK10P60W,RVQ(S TK10P60WRVQ TK10P60WRVQTR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 300V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | Super Junction |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9.7A (Ta) |
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