TK12Q60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TK12Q60W,S1VQ
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Livret des spécifications:	TK12Q60W,S1VQ.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4071 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4071 pcs

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Spécifications de TK12Q60W,S1VQ

Modèle de produit	TK12Q60W,S1VQ	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4071 pcs	Fiche technique	TK12Q60W,S1VQ.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 600µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	I-PAK
Séries	DTMOSIV	Rds On (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 5.8A, 10V
Dissipation de puissance (max)	100W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Stub Leads, IPak	Autres noms	TK12Q60WS1VQ
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 300V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	Super Junction
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole I-PAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	11.5A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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