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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | TK20A60U(Q,M) | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 5089 pcs | Fiche technique | 1.TK20A60U(Q,M).pdf2.TK20A60U(Q,M).pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-220SIS |
| Séries | DTMOSII | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 45W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack | Autres noms | TK20A60U(Q) TK20A60UQ TK20A60UQ-ND TK20A60UQM |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1470pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 20A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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