Modèle de produit | TK290P65Y,RQ | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
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La description | MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Quantité disponible | 121479 pcs | Fiche technique | TK290P65Y,RQ.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 450µA | Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | DPAK |
Séries | DTMOSV | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 5.8A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 100W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Autres noms | TK290P65Y,RQ(S TK290P65YRQ(S TK290P65YRQTR |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 300V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 650V |
Description détaillée | N-Channel 650V 11.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 11.5A (Tc) |
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