TK3A60DA(Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TK3A60DA(Q,M)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
Livret des spécifications:	1.TK3A60DA(Q,M).pdf 2.TK3A60DA(Q,M).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5370 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5370 pcs

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Spécifications de TK3A60DA(Q,M)

Modèle de produit	TK3A60DA(Q,M)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5370 pcs	Fiche technique	1.TK3A60DA(Q,M).pdf 2.TK3A60DA(Q,M).pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220SIS
Séries	π-MOSVII	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 Ohm @ 1.3A, 10V
Dissipation de puissance (max)	30W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Autres noms	TK3A60DA(Q) TK3A60DA(Q)-ND TK3A60DA(QM) TK3A60DAQM
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 2.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.5A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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