TK4P60DB(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TK4P60DB(T6RSS-Q)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3
Livret des spécifications:	TK4P60DB(T6RSS-Q).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4899 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4899 pcs

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Spécifications de TK4P60DB(T6RSS-Q)

Modèle de produit	TK4P60DB(T6RSS-Q)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4899 pcs	Fiche technique	TK4P60DB(T6RSS-Q).pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D-Pak
Séries	π-MOSVII	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 1.9A, 10V
Dissipation de puissance (max)	80W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	TK4P60DBT6RSSQ
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 3.7A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount D-Pak	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3.7A (Ta)

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Après vente
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