TK50P03M1(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TK50P03M1(T6RSS-Q)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3
Livret des spécifications:	TK50P03M1(T6RSS-Q).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	86599 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 86599 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.39

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Spécifications de TK50P03M1(T6RSS-Q)

Modèle de produit	TK50P03M1(T6RSS-Q)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	86599 pcs	Fiche technique	TK50P03M1(T6RSS-Q).pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 200µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DP
Séries	U-MOSVI-H	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max)	47W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	TK50P03M1(T6RSSQ)CT TK50P03M1T6RSSQ
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	25.3nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 50A (Ta) 47W (Tc) Surface Mount DP	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	50A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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