TK560A65Y,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TK560A65Y,S4X
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Livret des spécifications:	TK560A65Y,S4X.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	66998 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66998 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.565

50 pcs: $0.452

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500 pcs: $0.307

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Spécifications de TK560A65Y,S4X

Modèle de produit	TK560A65Y,S4X	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	66998 pcs	Fiche technique	TK560A65Y,S4X.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 240µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220SIS
Séries	DTMOSV	Rds On (Max) @ Id, Vgs	560 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	30W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Autres noms	TK560A65Y,S4X(S TK560A65YS4X TK560A65YS4X(S
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 300V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	650V	Description détaillée	N-Channel 650V 7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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