TK5P53D(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TK5P53D(T6RSS-Q)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N-CH 525V 5A DPAK-3
Livret des spécifications:	TK5P53D(T6RSS-Q).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	126047 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 126047 pcs

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Spécifications de TK5P53D(T6RSS-Q)

Modèle de produit	TK5P53D(T6RSS-Q)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N-CH 525V 5A DPAK-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	126047 pcs	Fiche technique	TK5P53D(T6RSS-Q).pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D-Pak
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	80W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	TK5P53DT6RSSQ
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	525V
Description détaillée	N-Channel 525V 5A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount D-Pak	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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