TK8P60W,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TK8P60W,RVQ
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N CH 600V 8A DPAK
Livret des spécifications:	TK8P60W,RVQ.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	68420 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 68420 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

2000 pcs: $0.437

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Spécifications de TK8P60W,RVQ

Modèle de produit	TK8P60W,RVQ	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N CH 600V 8A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	68420 pcs	Fiche technique	TK8P60W,RVQ.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 400µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	DTMOSIV	Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)	80W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	TK8P60W,RVQ(S TK8P60WRVQTR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	570pF @ 300V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	18.5nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	Super Junction
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 8A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount DPAK	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	8A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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