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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | TPC6109-H(TE85L,FM | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 30V 5A VS-6 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 6945 pcs | Fiche technique | 1.TPC6109-H(TE85L,FM.pdf2.TPC6109-H(TE85L,FM.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA | Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | VS-6 (2.9x2.8) |
| Séries | U-MOSIII-H | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Autres noms | TPC6109-H(TE85L,F) TPC6109-H(TE85LFMTR TPC6109-HTE85LFTR TPC6109-HTE85LFTR-ND |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | P-Channel 30V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| UPS | www.UPS.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
| TNT | www.TNT.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
