TPC8208(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TPC8208(TE12L,Q)
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP
Livret des spécifications:	1.TPC8208(TE12L,Q).pdf 2.TPC8208(TE12L,Q).pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	3433 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3433 pcs

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Spécifications de TPC8208(TE12L,Q)

Modèle de produit	TPC8208(TE12L,Q)	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	3433 pcs	Fiche technique	1.TPC8208(TE12L,Q).pdf 2.TPC8208(TE12L,Q).pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 200µA	Package composant fournisseur	8-SOP (5.5x6.0)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2.5A, 4V
Puissance - Max	450mW	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)	Autres noms	TPC8208DKR TPC8208DKR-ND TPC8208QDKR TPC8208TE12LQ
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 5V
type de FET	2 N-Channel (Dual)	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	20V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5A	Numéro de pièce de base	TPC*208

Mode de transport
Après vente
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