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Toshiba Semiconductor and Storage
| Modèle de produit | TPCF8101(TE85L,F,M | Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 12V 6A VS-8 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 5935 pcs | Fiche technique | 1.TPCF8101(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8101(TE85L,F,M.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA | Vgs (Max) | ±8V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | VS-8 (2.9x1.5) |
| Séries | U-MOSIII | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta) | Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | 8-SMD, Flat Lead | Autres noms | TPCF8101(TE85LFMCT TPCF8101FCT TPCF8101FCT-ND |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 12V |
| Description détaillée | P-Channel 12V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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