TPH5R906NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TPH5R906NH,L1Q
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV
Livret des spécifications:	TPH5R906NH,L1Q.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	46524 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 46524 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.65

10 pcs: $0.588

100 pcs: $0.473

500 pcs: $0.368

1000 pcs: $0.305

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Spécifications de TPH5R906NH,L1Q

Modèle de produit	TPH5R906NH,L1Q	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	46524 pcs	Fiche technique	TPH5R906NH,L1Q.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 300µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SOP Advance (5x5)
Séries	U-MOSVIII-H	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9 mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.6W (Ta), 57W (Tc)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	8-PowerVDFN	Autres noms	TPH5R906NHL1QDKR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 30V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	60V
Description détaillée	N-Channel 60V 28A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	28A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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