TPH8R903NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TPH8R903NL,LQ
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
Livret des spécifications:	TPH8R903NL,LQ.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	117793 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 117793 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.323

10 pcs: $0.284

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Spécifications de TPH8R903NL,LQ

Modèle de produit	TPH8R903NL,LQ	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	MOSFET N CH 30V 20A 8SOP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	117793 pcs	Fiche technique	TPH8R903NL,LQ.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SOP Advance (5x5)
Séries	U-MOSVIII-H	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.6W (Ta), 24W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-PowerVDFN	Autres noms	TPH8R903NLLQCT
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	820pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.8nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 20A (Tc) 1.6W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	20A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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