TRS10E65C,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	TRS10E65C,S1Q
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
Livret des spécifications:	TRS10E65C,S1Q.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	8442 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8442 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $4.373

50 pcs: $3.585

100 pcs: $3.235

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Spécifications de TRS10E65C,S1Q

Modèle de produit	TRS10E65C,S1Q	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	8442 pcs	Fiche technique	TRS10E65C,S1Q.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.7V @ 10A	Tension - inverse (Vr) (max)	650V
Package composant fournisseur	TO-220-2L	La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	0ns
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-220-2
Autres noms	TRS10E65C,S1Q(S TRS10E65C,S1Q-ND TRS10E65CS1Q	Température d'utilisation - Jonction	175°C (Max)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Description détaillée	Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-220-2L	Courant - fuite, inverse à Vr	90µA @ 650V
Courant - Rectifié moyenne (Io)	10A (DC)	Capacité à Vr, F	-

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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