ULN2803AFWG,C,EL

Toshiba Semiconductor and Storage

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Présentation du produit

Modèle de produit:	ULN2803AFWG,C,EL
Fabricant / marque:	Toshiba Semiconductor and Storage
Description du produit	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Livret des spécifications:	ULN2803AFWG,C,EL.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4404 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4404 pcs

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Spécifications de ULN2803AFWG,C,EL

Modèle de produit	ULN2803AFWG,C,EL	Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
La description	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4404 pcs	Fiche technique	ULN2803AFWG,C,EL.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 500µA, 350mA
Transistor Type	8 NPN Darlington	Package composant fournisseur	18-SOL
Séries	-	Puissance - Max	1.31W
Emballage	Cut Tape (CT)	Package / Boîte	18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Autres noms	ULN2803AFWG(5ELMCT ULN2803AFWG(5ELMCT-ND ULN2803AFWG(CELHACT ULN2803AFWG(CELHACT-ND ULN2803AFWG(OELMCT ULN2803AFWG(OELMCT-ND ULN2803AFWG5ELMCT ULN2803AFWG5ELMCT-ND ULN2803AFWGCELCT	Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	-
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.31W Surface Mount 18-SOL	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 350mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	-	Courant - Collecteur (Ic) (max)	500mA
Numéro de pièce de base	ULN280*A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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