| Modèle de produit | US1J/1 | Fabricant | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / RoHS non conforme |
| Quantité disponible | 7066 pcs | Fiche technique | 1.US1J/1.pdf2.US1J/1.pdf |
| Tension - Inverse de crête (max) | Standard | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1A |
| Tension - Ventilation | DO-214AC (SMA) | Séries | - |
| État RoHS | Tape & Reel (TR) | Temps de recouvrement inverse (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F | - | Polarisation | DO-214AC, SMA |
| Autres noms | Q1152372A US1J US1J-ND US1J/1/T |
Température d'utilisation - Jonction | 75ns |
| Type de montage | Surface Mount | Référence fabricant | US1J/1 |
| Description élargie | Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) | Configuration diode | 10µA @ 600V |
| La description | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | Courant - fuite, inverse à Vr | 1.7V @ 1A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 600V | Capacité à Vr, F | -65°C ~ 175°C |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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