IRFR1N60ATR

Vishay Siliconix

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRFR1N60ATR
Fabricant / marque:	Vishay / Siliconix
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Livret des spécifications:	IRFR1N60ATR.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	5025 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5025 pcs

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Spécifications de IRFR1N60ATR

Modèle de produit	IRFR1N60ATR	Fabricant	Vishay Siliconix
La description	MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	5025 pcs	Fiche technique	IRFR1N60ATR.pdf
Tension - Test	229pF @ 25V	Tension - Ventilation	D-Pak
Vgs (th) (Max) @ Id	7 Ohm @ 840mA, 10V	La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Séries	-	État RoHS	Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4A (Tc)	Polarisation	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	IRFR1N60ATR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14nC @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA
Fonction FET	N-Channel	Description élargie	N-Channel 600V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tension drain-source (Vdss)	-	La description	MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	600V	Ratio de capacité	36W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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