SI4288DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI4288DY-T1-GE3
Fabricant / marque:	Vishay / Siliconix
Description du produit	MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
Livret des spécifications:	SI4288DY-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	140294 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 140294 pcs

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Spécifications de SI4288DY-T1-GE3

Modèle de produit	SI4288DY-T1-GE3	Fabricant	Vishay Siliconix
La description	MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	140294 pcs	Fiche technique	SI4288DY-T1-GE3.pdf
Tension - Test	580pF @ 20V	Tension - Ventilation	8-SO
Vgs (th) (Max) @ Id	20 mOhm @ 10A, 10V	Séries	TrenchFET®
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.2A
Puissance - Max	3.1W	Polarisation	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms	SI4288DY-T1-GE3TR	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	SI4288DY-T1-GE3	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	15nC @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.5V @ 250µA	Fonction FET	2 N-Channel (Dual)
Description élargie	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO	Tension drain-source (Vdss)	Logic Level Gate
La description	MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	40V

Mode de transport
Après vente
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