SI4634DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI4634DY-T1-GE3
Fabricant / marque:	Vishay / Siliconix
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC
Livret des spécifications:	SI4634DY-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	138088 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 138088 pcs

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Spécifications de SI4634DY-T1-GE3

Modèle de produit	SI4634DY-T1-GE3	Fabricant	Vishay Siliconix
La description	MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	138088 pcs	Fiche technique	SI4634DY-T1-GE3.pdf
Tension - Test	3150pF @ 15V	Tension - Ventilation	8-SO
Vgs (th) (Max) @ Id	5.2 mOhm @ 15A, 10V	La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Séries	TrenchFET®	État RoHS	Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24.5A (Tc)	Polarisation	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms	SI4634DY-T1-GE3TR SI4634DYT1GE3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	SI4634DY-T1-GE3	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	68nC @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.6V @ 250µA	Fonction FET	N-Channel
Description élargie	N-Channel 30V 24.5A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO	Tension drain-source (Vdss)	-
La description	MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	30V
Ratio de capacité	2.5W (Ta), 5.7W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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