SI6423DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI6423DQ-T1-GE3
Fabricant / marque:	Vishay / Siliconix
Description du produit	MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
Livret des spécifications:	SI6423DQ-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	126731 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 126731 pcs

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Spécifications de SI6423DQ-T1-GE3

Modèle de produit	SI6423DQ-T1-GE3	Fabricant	Vishay Siliconix
La description	MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	126731 pcs	Fiche technique	SI6423DQ-T1-GE3.pdf
Tension - Test	-	Tension - Ventilation	8-TSSOP
Vgs (th) (Max) @ Id	8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V	Vgs (Max)	1.8V, 4.5V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	TrenchFET®
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2A (Ta)
Polarisation	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Autres noms	SI6423DQ-T1-GE3TR SI6423DQT1GE3
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	SI6423DQ-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	110nC @ 5V	type de IGBT	±8V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	800mV @ 400µA	Fonction FET	P-Channel
Description élargie	P-Channel 12V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP	Tension drain-source (Vdss)	-
La description	MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	12V
Ratio de capacité	1.05W (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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