SI7326DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI7326DN-T1-GE3
Fabricant / marque:	Vishay / Siliconix
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Livret des spécifications:	SI7326DN-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	295433 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 295433 pcs

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Spécifications de SI7326DN-T1-GE3

Modèle de produit	SI7326DN-T1-GE3	Fabricant	Vishay Siliconix
La description	MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	295433 pcs	Fiche technique	SI7326DN-T1-GE3.pdf
Tension - Test	-	Tension - Ventilation	PowerPAK® 1212-8
Vgs (th) (Max) @ Id	19.5 mOhm @ 10A, 10V	La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Séries	TrenchFET®	État RoHS	Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5A (Ta)	Polarisation	PowerPAK® 1212-8
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	SI7326DN-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13nC @ 5V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.8V @ 250µA
Fonction FET	N-Channel	Description élargie	N-Channel 30V 6.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Tension drain-source (Vdss)	-	La description	MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	30V	Ratio de capacité	1.5W (Ta)

Mode de transport
Après vente
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