Choisissez votre pays ou région.

Close
Se connecter S'inscrire Email:Info@infinity-electronic.com
0 Item(s)

SIA431DJ-T1-GE3

Vishay SiliconixVishay Siliconix
SIA431DJ-T1-GE3 Image
L'image peut être une représentation. Voir les spécifications pour les détails du produit.

Présentation du produit

Modèle de produit: SIA431DJ-T1-GE3
Fabricant / marque: Vishay / Siliconix
Description du produit MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Livret des spécifications: SIA431DJ-T1-GE3.pdf
État RoHS Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock 154903 pcs stock
Bateau de Hong Kong
Manière d'expédition DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 154903 pcs
Prix de référence (en dollars américains)
1 pcs
$0.214
10 pcs
$0.188
25 pcs
$0.177
100 pcs
$0.144
250 pcs
$0.134
500 pcs
$0.114
1000 pcs
$0.091
Demander une offre en ligne
Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur " SOUMETTRE la demande de devis ". Nous vous contacterons sous peu par courrier électronique. Ou écrivez-nous:Info@infinity-electronic.com
  • Prix cible:(USD)
  • Qté:
Total:$0.214

S'il vous plaît nous donner votre prix cible si des quantités supérieures à celles affichées.

  • Modèle de produit
  • Raison sociale
  • Nom du contact
  • Email
  • Message

Spécifications de SIA431DJ-T1-GE3

Modèle de produit SIA431DJ-T1-GE3 Fabricant Vishay Siliconix
La description MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible 154903 pcs Fiche technique SIA431DJ-T1-GE3.pdf
Tension - Test 1700pF @ 10V Tension - Ventilation PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs (th) (Max) @ Id 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (Max) 1.5V, 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) Séries TrenchFET®
État RoHS Digi-Reel® Rds On (Max) @ Id, Vgs 12A (Tc)
Polarisation PowerPAK® SC-70-6 Autres noms SIA431DJ-T1-GE3DKR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Référence fabricant SIA431DJ-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 60nC @ 8V type de IGBT ±8V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 850mV @ 250µA Fonction FET P-Channel
Description élargie P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single Tension drain-source (Vdss) -
La description MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20V
Ratio de capacité 3.5W (Ta), 19W (Tc)

Mode de transport

★ LIVRAISON GRATUITE VIA DHL / FEDEX / UPS SI LE MONTANT DE LA COMMANDE EST SUPÉRIEUR À 1 000 USD.
(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX www.FedEx.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
DHL www.DHL.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
UPS www.UPS.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
TNT www.TNT.com À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.

★ Le délai de livraison nécessitera 2 à 4 jours pour la plupart des pays du monde entier par DHL / UPS / FEDEX / TNT.

N'hésitez pas à nous contacter si vous avez des questions sur l'envoi. Envoyez-nous un email Info@infinity-electronic.com
FedexDHLUPSTNT

GARANTIE APRÈS-VENTE

  1. Chaque produit de Infinity-Semiconductor.com bénéficie d’une période de garantie d’un an. Pendant cette période, nous pouvons fournir une maintenance technique gratuite en cas de problème concernant nos produits.
  2. Si vous rencontrez des problèmes de qualité concernant nos produits après les avoir reçus, vous pouvez les tester et demander un remboursement inconditionnel s’il est prouvé.
  3. Si les produits sont défectueux ou s'ils ne fonctionnent pas, vous pouvez nous le retourner dans un délai d'un an. Tous les frais de transport et de douane de la marchandise sont à notre charge.

Tags associés

Produits connexes

SIA427DJ-T1-GE3
SIA427DJ-T1-GE3
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
En stock: 117506 pcs
Télécharger: SIA427DJ-T1-GE3.pdf
RFQ
SIA437DJ-T1-GE3
SIA437DJ-T1-GE3
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6
En stock: 104753 pcs
Télécharger: SIA437DJ-T1-GE3.pdf
RFQ
SIA432DJ-T1-GE3
SIA432DJ-T1-GE3
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
En stock: 62955 pcs
Télécharger: SIA432DJ-T1-GE3.pdf
RFQ
SIA430DJT-T1-GE3
SIA430DJT-T1-GE3
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
En stock: 542998 pcs
Télécharger:
RFQ
SIA438EDJ-T1-GE3
SIA438EDJ-T1-GE3
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L
En stock: 393305 pcs
Télécharger: SIA438EDJ-T1-GE3.pdf
RFQ
SIA429DJT-T1-GE3
SIA429DJT-T1-GE3
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
En stock: 109072 pcs
Télécharger: SIA429DJT-T1-GE3.pdf
RFQ
SIA430DJ-T1-GE3
SIA430DJ-T1-GE3
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
En stock: 205080 pcs
Télécharger: SIA430DJ-T1-GE3.pdf
RFQ
SIA436DJ-T1-GE3
SIA436DJ-T1-GE3
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L
En stock: 399100 pcs
Télécharger: SIA436DJ-T1-GE3.pdf
RFQ
SIA427ADJ-T1-GE3
SIA427ADJ-T1-GE3
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
En stock: 467798 pcs
Télécharger: SIA427ADJ-T1-GE3.pdf
RFQ
SIA439EDJ-T1-GE3
SIA439EDJ-T1-GE3
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
En stock: 376931 pcs
Télécharger: SIA439EDJ-T1-GE3.pdf
RFQ
SIA433EDJ-T1-GE3
SIA433EDJ-T1-GE3
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
En stock: 292350 pcs
Télécharger: SIA433EDJ-T1-GE3.pdf
RFQ
SIA426DJ-T1-GE3
SIA426DJ-T1-GE3
Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
La description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
En stock: 221228 pcs
Télécharger: SIA426DJ-T1-GE3.pdf
RFQ

Nouvelles de l'industrie

Rohm ajoute 10 mosfets SiC automobiles
«L’introduction de la série SCT3xxxxxxHR permet à Rohm d’offrir la plus grande gamme de mosfets...
ON ajoute aux MOSFET SiC
ON Semiconductor a introduit deux MOSFET SiC destinés aux applications VE, solaires et UPS. Les NVH...
APEC: TI pense latéralement à fabriquer une puce ca-cc avec une puissance de secours de 15 mW
«Cet appareil réalise le meilleur équilibre entre efficacité élevée et bruit extrêmement faib...
Contenu sponsorisé: Analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X
L'analyseur de spectre SIGLENT SVA1015X est un outil très puissant et flexible pour diverses mesure...
Les dépenses en équipements de demi-fabrication devraient diminuer de 14% cette année et augmenter de 27% l’année prochaine
Stimulé par un ralentissement du secteur de la mémoire, le ralentissement économique de 2019 marq...
Power Stamp Alliance réduit la nécessité pour le processeur hôte de surveiller les unités d'alimentation et ajoute une conception de référence
L’Alliance (Artesyn Embedded Technologies, Solutions Bel Power, Flex et STMicroelectronics) a cré...
APEC: puissance SiC et outils électriques améliorés basés sur le cloud
Les capacités de recherche ont été améliorées et un menu de style carrousel permet de sélectio...
Dengrove ajoute des convertisseurs CC / CC de Recom à encombrement réduit
Ils sont conçus pour des applications nécessitant une densité de puissance élevée, un rendement...
Premier processeur Arm militaire qualifié pour les applications haute fidélité
LS1046A fait partie du portefeuille Arm Layerscape 64 bits de NXP, avec un bras Cortex-A72 quad-core...