SIHF30N60E-GE3

Vishay Siliconix

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SIHF30N60E-GE3
Fabricant / marque:	Vishay / Siliconix
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Livret des spécifications:	SIHF30N60E-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	15544 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 15544 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $2.216

10 pcs: $1.989

25 pcs: $1.88

100 pcs: $1.63

250 pcs: $1.546

500 pcs: $1.387

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Spécifications de SIHF30N60E-GE3

Modèle de produit	SIHF30N60E-GE3	Fabricant	Vishay Siliconix
La description	MOSFET N-CH 600V 29A TO220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	15544 pcs	Fiche technique	SIHF30N60E-GE3.pdf
Tension - Test	2600pF @ 100V	Vgs (th) (Max) @ Id	125 mOhm @ 15A, 10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	E
État RoHS	Digi-Reel®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	29A (Tc)
Polarisation	TO-220-3 Full Pack	Autres noms	SIHF30N60E-GE3DKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	SIHF30N60E-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	130nC @ 10V	type de IGBT	±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA	Fonction FET	N-Channel
Description élargie	N-Channel 600V 29A (Tc) 37W (Tc) Through Hole	Tension drain-source (Vdss)	-
La description	MOSFET N-CH 600V 29A TO220	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	600V
Ratio de capacité	37W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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