SQJ431EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SQJ431EP-T1_GE3
Fabricant / marque:	Vishay / Siliconix
Description du produit	MOSFET P-CHAN 200V SO8L
Livret des spécifications:	SQJ431EP-T1_GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	115309 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 115309 pcs

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Spécifications de SQJ431EP-T1_GE3

Modèle de produit	SQJ431EP-T1_GE3	Fabricant	Vishay Siliconix
La description	MOSFET P-CHAN 200V SO8L	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	115309 pcs	Fiche technique	SQJ431EP-T1_GE3.pdf
Tension - Test	4355pF @ 25V	Tension - Ventilation	PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max) @ Id	213 mOhm @ 1A, 4V	Vgs (Max)	6V, 10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	12A (Tc)
Polarisation	PowerPAK® SO-8	Autres noms	SQJ431EP-T1_GE3TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	SQJ431EP-T1_GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	160nC @ 10V	type de IGBT	±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.5V @ 250µA	Fonction FET	P-Channel
Description élargie	P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8	Tension drain-source (Vdss)	-
La description	MOSFET P-CHAN 200V SO8L	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	200V
Ratio de capacité	83W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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