BYC20DX-600PQ

WeEn Semiconductors

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Présentation du produit

Modèle de produit:	BYC20DX-600PQ
Fabricant / marque:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Description du produit	DIODE GEN PURP 600V 20A TO220F
Livret des spécifications:	BYC20DX-600PQ.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	147072 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 147072 pcs

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Spécifications de BYC20DX-600PQ

Modèle de produit	BYC20DX-600PQ	Fabricant	WeEn Semiconductors
La description	DIODE GEN PURP 600V 20A TO220F	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	147072 pcs	Fiche technique	BYC20DX-600PQ.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	20A
Tension - Ventilation	TO-220F	Séries	-
État RoHS	Tube	Temps de recouvrement inverse (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	TO-220-2 Full Pack
Autres noms	1740-1253 568-11670 568-11670-ND 934068088127 BYC20DX-600PQ-ND	Température d'utilisation - Jonction	20ns
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	BYC20DX-600PQ	Description élargie	Diode Standard 600V 20A Through Hole TO-220F
Configuration diode	10µA @ 600V	La description	DIODE GEN PURP 600V 20A TO220F
Courant - fuite, inverse à Vr	2.9V @ 20A	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	600V
Capacité à Vr, F	175°C (Max)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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