8EWF12STR

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Présentation du produit

Modèle de produit:	8EWF12STR
Fabricant / marque:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Description du produit	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Livret des spécifications:	8EWF12STR.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	6692 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6692 pcs

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Spécifications de 8EWF12STR

Modèle de produit	8EWF12STR	Fabricant	Vishay Semiconductor Diodes Division
La description	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	6692 pcs	Fiche technique	8EWF12STR.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	8A
Tension - Ventilation	D-PAK (TO-252AA)	Séries	-
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Temps de recouvrement inverse (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms	VS-8EWF12STR VS-8EWF12STR-ND VS8EWF12STR VS8EWF12STR-ND	Température d'utilisation - Jonction	270ns
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	8EWF12STR	Description élargie	Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Configuration diode	100µA @ 1200V	La description	DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Courant - fuite, inverse à Vr	1.3V @ 8A	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	1200V (1.2kV)
Capacité à Vr, F	-40°C ~ 150°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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