8EWS08STR

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Présentation du produit

Modèle de produit:	8EWS08STR
Fabricant / marque:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Description du produit	DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK
Livret des spécifications:	8EWS08STR.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	3754 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3754 pcs

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Spécifications de 8EWS08STR

Modèle de produit	8EWS08STR	Fabricant	Vishay Semiconductor Diodes Division
La description	DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	3754 pcs	Fiche technique	8EWS08STR.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	8A
Tension - Ventilation	D-PAK (TO-252AA)	Séries	-
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Temps de recouvrement inverse (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms	VS-8EWS08STR VS-8EWS08STR-ND VS8EWS08STR VS8EWS08STR-ND	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	8EWS08STR
Description élargie	Diode Standard 800V 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)	Configuration diode	50µA @ 800V
La description	DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK	Courant - fuite, inverse à Vr	1.1V @ 8A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	800V	Capacité à Vr, F	-55°C ~ 150°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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