2V7002LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2V7002LT1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3
Livret des spécifications:	2V7002LT1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1848697 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1848697 pcs

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Spécifications de 2V7002LT1G

Modèle de produit	2V7002LT1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1848697 pcs	Fiche technique	2V7002LT1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Séries	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	225mW (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Autres noms	2V7002LT1G-ND 2V7002LT1GOSTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	N-Channel 60V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	115mA (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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