2V7002WT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2V7002WT1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Livret des spécifications:	2V7002WT1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1437867 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1437867 pcs

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Spécifications de 2V7002WT1G

Modèle de produit	2V7002WT1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1437867 pcs	Fiche technique	2V7002WT1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SC-70-3 (SOT323)
Séries	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	280mW (Tj)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SC-70, SOT-323	Autres noms	2V7002WT1G-ND 2V7002WT1GOSTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	24.5pF @ 20V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	60V
Description détaillée	N-Channel 60V 310mA (Ta) 280mW (Tj) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	310mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
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