DTC114EET1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DTC114EET1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
Livret des spécifications:	DTC114EET1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	510244 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 510244 pcs

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Spécifications de DTC114EET1G

Modèle de produit	DTC114EET1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	510244 pcs	Fiche technique	DTC114EET1G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	SC-75, SOT-416
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	10 kOhms
Résistance - Base (R1)	10 kOhms	Puissance - Max	200mW
Emballage	Cut Tape (CT)	Package / Boîte	SC-75, SOT-416
Autres noms	DTC114EET1GOSCT	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	35 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA
Numéro de pièce de base	DTC114

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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