DTC114ESATP

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DTC114ESATP
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Livret des spécifications:	DTC114ESATP.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5028 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5028 pcs

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Spécifications de DTC114ESATP

Modèle de produit	DTC114ESATP	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5028 pcs	Fiche technique	DTC114ESATP.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	SPT
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	10 kOhms
Résistance - Base (R1)	10 kOhms	Puissance - Max	300mW
Emballage	Tape & Box (TB)	Package / Boîte	SC-72 Formed Leads
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	250MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 300mW Through Hole SPT	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	50mA
Numéro de pièce de base	DTC114

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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