FDFM2P110

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDFM2P110
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
Livret des spécifications:	FDFM2P110.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	108751 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 108751 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.295

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Spécifications de FDFM2P110

Modèle de produit	FDFM2P110	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	108751 pcs	Fiche technique	FDFM2P110.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	MicroFET 3x3mm
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	6-MLP, Power33	Autres noms	FDFM2P110DKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	P-Channel 20V 3.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3.5A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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