FDFMA2P029Z-F106

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDFMA2P029Z-F106
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	-20V -3.1A 95 O PCH ER T
Livret des spécifications:	FDFMA2P029Z-F106.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	263293 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 263293 pcs

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Spécifications de FDFMA2P029Z-F106

Modèle de produit	FDFMA2P029Z-F106	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	-20V -3.1A 95 O PCH ER T	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	263293 pcs	Fiche technique	FDFMA2P029Z-F106.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	6-MicroFET (2x2)
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	1.4W (Ta)	Package / Boîte	6-WDFN Exposed Pad
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	Schottky Diode (Isolated)	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)	20V	Description détaillée	P-Channel 20V 3.1A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3.1A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

FEDEX	www.FedEx.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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