FDP42AN15A0

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDP42AN15A0
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
Livret des spécifications:	1.FDP42AN15A0.pdf 2.FDP42AN15A0.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	45115 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45115 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.836

10 pcs: $0.754

100 pcs: $0.606

800 pcs: $0.426

1600 pcs: $0.391

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Spécifications de FDP42AN15A0

Modèle de produit	FDP42AN15A0	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	45115 pcs	Fiche technique	1.FDP42AN15A0.pdf 2.FDP42AN15A0.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220-3
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	FDP42AN15A0-ND FDP42AN15A0FS
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2150pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	150V
Description détaillée	N-Channel 150V 5A (Ta), 35A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5A (Ta), 35A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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