FDP5500-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDP5500-F085
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB
Livret des spécifications:	1.FDP5500-F085.pdf 2.FDP5500-F085.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	22379 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 22379 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.623

10 pcs: $1.448

400 pcs: $1.072

800 pcs: $0.869

1200 pcs: $0.811

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Spécifications de FDP5500-F085

Modèle de produit	FDP5500-F085	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	22379 pcs	Fiche technique	1.FDP5500-F085.pdf 2.FDP5500-F085.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220-3
Séries	Automotive, AEC-Q101, UltraFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max)	375W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	FDP5500_F085 FDP5500_F085-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3565pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	269nC @ 20V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	55V
Description détaillée	N-Channel 55V 80A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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