FDP8D5N10C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDP8D5N10C
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	FET ENGR DEV-NOT REL
Livret des spécifications:	FDP8D5N10C.pdf
Etat du stock	33210 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 33210 pcs

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Spécifications de FDP8D5N10C

Modèle de produit	FDP8D5N10C	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	FET ENGR DEV-NOT REL	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	33210 pcs	Fiche technique	FDP8D5N10C.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 130µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220-3
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 76A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.4W (Ta), 107W (Tc)	Package / Boîte	TO-220-3
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Statut sans plomb	Lead free	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2475pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 76A (Tc) 2.4W (Ta), 107W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	76A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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