FDP8N50NZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDP8N50NZ
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
Livret des spécifications:	1.FDP8N50NZ.pdf 2.FDP8N50NZ.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	49791 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 49791 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.664

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Spécifications de FDP8N50NZ

Modèle de produit	FDP8N50NZ	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	49791 pcs	Fiche technique	1.FDP8N50NZ.pdf 2.FDP8N50NZ.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220-3
Séries	UniFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)	130W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	735pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	500V	Description détaillée	N-Channel 500V 8A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	8A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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