FDPF085N10A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDPF085N10A
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 40A TO-220F
Livret des spécifications:	FDPF085N10A.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	43365 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 43365 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.85

10 pcs: $0.769

100 pcs: $0.618

500 pcs: $0.481

1000 pcs: $0.398

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Spécifications de FDPF085N10A

Modèle de produit	FDPF085N10A	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 100V 40A TO-220F	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	43365 pcs	Fiche technique	FDPF085N10A.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220F-3
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)	33.3W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2695pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	N-Channel 100V 40A (Tc) 33.3W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	40A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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