FDPF10N60NZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDPF10N60NZ
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220F
Livret des spécifications:	FDPF10N60NZ.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	38168 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 38168 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.99

10 pcs: $0.894

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500 pcs: $0.558

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Spécifications de FDPF10N60NZ

Modèle de produit	FDPF10N60NZ	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220F	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	38168 pcs	Fiche technique	FDPF10N60NZ.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220F
Séries	UniFET-II™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	38W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1475pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 10A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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