FDZ298N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDZ298N
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 20V 6A BGA
Livret des spécifications:	FDZ298N.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6374 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6374 pcs

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Spécifications de FDZ298N

Modèle de produit	FDZ298N	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 20V 6A BGA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6374 pcs	Fiche technique	FDZ298N.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	9-BGA (1.5x1.6)
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 6A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	1.7W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	9-WFBGA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	680pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)	20V	Description détaillée	N-Channel 20V 6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (1.5x1.6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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